ASML의 EUV 노광기가 진짜 혁명적인게
그동안 G-Line, H-Line, I-Line, KrF, ArF, F2 순으로 공정이 개발되면서
436nm -> 405nm -> 365nm -> 248nm -> 193nm -> 157nm 이런식으로 조금씩 광원의 파장을 줄여왔는데
ASML이 EUV 노광기 개발하면서 한번에 기존 ArF의 1/14 수준인 13.5nm로 줄여버렸습니다..
ArF까지는 일본 니콘이랑 캐논도 조금씩 흉내내면서 따라올 수 있었지만, EUV부턴 완전 압살당했고 이젠 진짜 ASML 완전 독주체제 시작입니다. 지금 내부적으로는 이미 포스트 EUV도 연구하고 있을텐데, 경이롭기도 하면서 한편으로는 무서운거죠..
우리나라의 리소그래피 관련 연구와 기술들도 대단하지만, 아직 국내의 노광기 개발 노력은 365~405nm 사이의 다파장 광원을 사용하는 DI 노광기 수준에 머물러있는데 (사실상 반도체용 노광기 개발은 전무한 상황)
그런것 고려하면 ASML의 기술력은 솔직히 말이 안 나오는 수준입니다.