DB하이텍, 빨라지는 신사업 시계..'GaN·SiC' 투자 속도
"GaN 성과 나타나…투자 규모 확대 가능성"
MTN 머니투데이방송 설동협 기자
입력 2024-01-19 14:11:28
본문 발췌 요약:
"DB하이텍이 GaN(질화갈륨)·SiC(실리콘카바이드) 부문 경쟁력 확보에 본격 나선다.
19일 반도체업계에 따르면 DB하이텍은 전력반도체 부문 투자 성과가 발생하고 있는 것으로 파악된다. 잠재 고객사들로부터 수주 확보를 위한 작업에서 긍정적인 진척이 있는 것으로 전해졌다.
한 시장 관계자는 "최근 GaN에 대한 투자 성과가 생각보다 빠르게 나타나고 있다"며 "내부적으로 GaN에 대한 투자 규모를 더 늘리는 방안을 고려 중인 것으로 안다"고 말했다.
더불어 지난해 말 1대 주주인 DB InC(원래 12.42% 보유)가 2대 주주인 KCGI의 DB하이텍 보유지분 5.63%를 매입하게 되면서, 경영권 분쟁 우려가 조금 완화된 상황이다. DB InC로서는 이제 DB하이텍 경영에만 집중할 수 있는 판이 깔린 셈이다.
회사 측은 지난해 10월 전력반도체 분야 초기 투자를 단행했다. 기술·공정 개발, 장비 매입 등에 비용이 집행됐다. 핵심장비를 도입해 시험생산 체제 기반을 마련했다. 최근 전력반도체 전문가 알리 살리 전 온세미 기술개발 수석 디렉터(박사)를 영입하고 GaN 공정 개발 전담조직도 총괄하도록 했다.
GaN은 오는 2025년 양산을 목표로, SiC보다 2년 가량 먼저 사업 전개에 나설 예정이다.
차세대 전력반도체로 불리는 GaN·SiC는 고전압, 고전류, 고온에서도 잘 버틸 수 있도록 설계됐다."
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작성일 : 24-01-27 00:00
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