https://news.naver.com/main/read.nhn?mode=LSD&mid=sec&sid1=101&oid=018&aid=0004454499

기술격차가 줄어들고있어요

마이크론1z메모리 양산

https://gigglehd.com/gg/5466143

양산이면 업체들에 다 샘플 전달하고 알려졌을텐데
고객들 몰래 양산 하는 경우도 있나요?

삼성은 EUV 적용이요 ㅎㅎ
레이어 1에 불과하지만 급이 다릅니다.
유명 브랜드들의 고성능 D램들은 죄다 삼성 다이 씁니다.

마이크론은 EUV 공정 적용 아닌데요


기술격차는 줄어들기는 커녕 점점 더 벌어지는 느낌입니다.

그것이 비단 마이크론 경우 뿐만 아니라

D램 세계 2위인 같은 대한민국의 SK하이닉스와도 격차가 점점 벌어지고 있다는 느낌이구요

삼성도 이번 1z dram은 EUV가 아닌데요 EUV공정은 내년1월 생산예정

제가 괜히 기술격차가 줄었다고 말한게 아닌데..
양산규모는 다르겠지만 1z dram 불화아르곤 생산은 지금 동급이라는거죠


6월 12일 업계에 따르면 삼성전자는 오는 9월 3세대 10나노급 D램인 1z 제품 양산에 돌입한다. 이 제품은 EUV가 아닌 기존 불화아르곤(ArF) 액침(液浸, immersion) 노광 장비가 활용된다. 삼성전자는 지난 3월 1z D램 개발 발표 때 “초고가 EUV 장비를 사용하지 않고도 기존 1y D램보다 생산성을 20% 이상 향상시켰고, 속도 증가로 전력효율 역시 개선됐다”고 밝힌 바 있다.
http://www.thelec.kr/news/articleView.html?idxno=1927

삼성전자 화성 EUV 라인, 9월 완공...내년 1월 양산
http://www.newspim.com/news/view/20190703000973

그럼 그렇게 생각하시면 됩니다.

참..

1z는 하이닉스도 못만듭니다 ..삼성도 이번에 발표한기술
마이클론 10나노 1z방식으로 euv만 뺀 신기술인건 맞아요 .
어떤방식으로 급격한 기술격차를 메웠는진 몰라도 양산발표는
삼성보다도 더 빨랐습니다 z방식으로 한것..  하지만 삼성이 뒤질세라
euv적용 1z을 발표..

못 만드는게 아니라 장비는 있는데 시장 형성도 안 되어 있어서 늦게 진입하는거에요.
삼성/하이닉스는 PC용 D램보다는 모바일D램, 서버용 D램이 주력입니다.
1z D램 생산 장비 (12nm) 들은 오래전에 상용화를 끝냈습니다.
밀도/소비전력 규격에 맞출려면 1z 공정 써야 되요.

D램 1z는 어려운게 아닌게 장비들은 다 있어요.
마이크론이 특출나게 튀어 나가는게 아니라 삼성, 하이닉스도 다 개발해 놓은겁니다.
애초에 16Gbit DDR4는 1z 공정에서 제조해야 소비전력/밀도 규격 맞출 수 있습니다.
EUV를 적용하는 이유가 난이도 때문이 아니라 수율, 생산성 (원가) 을 올리려고 하는겁니다.
애초에 EUV 없이 ArF 기반으로 완성된 장비들과 공정들이고, EUV를 적용하면 수율 향상, 생산성 증가로 원가 절감이 되기 때문입니다.
그러니깐 EUV 없어도 ArF로 7nm까지는 가능합니다.
D램의 경우 이제 꼴랑 12nm 공정에서 ArF로 불가능한 영역대가 아닙니다.
ArF로는 성능의 한계가 아니라 수율의 한계가 찾아 오는거죠.
그래서 EUV를 도입해야 하는거고, 1z에서는 EUV라고 해 봐야 1 레이어 수준입니다.
현재 생산 재고도 충분하고, 주력으로 판매되는 메모리 전환이 느릴거 같으니깐 눈치 보면서 양산을 늦췄고, EUV 적용해서 양산할려고 대기 중이였다가 마이크론이 먼저 선빵 치니깐 ArF로 먼저 선 보이는거겠죠.
하이닉스, 삼성은 이미 EUV 적용하겠다고 선언한 상태이구요.

마이크론이 이번만 치고 나간게 아니라 HMC 같은 차세대 메모리 규격에서도 마이크론이 규격을 주도해 나갔고, GDDR-X 같은 경우에도 초반부터 마이크론 독무대였습니다.
마이크론이 1z 공정 적용한 D램을 내 놓은거 퀀텀리프가 아니라 장비가 있으니깐 찍어내는거에요.
문제는 양산인데, 수율/원가 측면에서 경쟁사와 경쟁이 가능하겠느냐는 부분입니다.
D램에 EUV 적용조차 삼성, ASML 공동 연구에요.
(EUV 노광기 자체가 ASML이 개발하고 삼성이 검증)
EUV로 넘어가면 삼성이 주도권을 잡고 있다고 봐야되요.
16Gbit DDR4 같은 경우엔 진검싸움이 EUV 적용이 거든요.
규격이 올라갈수록 고클럭, 저전력의 핵심이 EUV입니다.

ArF로 찍어내는 D램 그거 전부 저클럭 초기 스펙들이죠.
규격 바뀌면서 EUV 적용하면서 차이 벌어집니다.
마이크론은 아직 EUV에 대한 입장이 없습니다.

진정한 기술 격차는 EUV에서 옵니다.
초반에 치고 나가봐야 규격이 올라가면서 고클럭/저전력에서 ArF는 수율에 한계가 옵니다.

좋은정보 감사합니다 ..솔직히 마이클론 발표후 위기감 느껴젔는데
님글을 보니 안심됩니다 .

인텔에서 10세대 아이스레이크 CPU를 출시하는 시점에 맞춰서
PC용 DDR4 3200MHz 25600 램을 출시를 할겁니다. 올 하반기나 내년초에 나옵니다.
삼성 SK 마이크론 다 재고처리 하기위해 양산을 않했던 것이지 못한것이 아니죠.
신규업체도 아니고 기존업체간 기술 격차를 10나노 DDR4에서 찾으시면 안됩니다.

진짜 외계인 고문하나 싶어요

궁금한게 있는데요.
'황의 법칙'이 아직 지속중인가요?
최근 몇 년 동안 못들어본거 같아서 말이죠.

그 황이 KT수장

너무 빨라서 깨진지 오래됐음.

[전기/전자] 日제재돌파 D램초격차 삼성, 이르면 내달 `3세대 1z` 양산 감사^^

[전기/전자] 日제재돌파 D램초격차 삼성, 이르면 내달 `3세대 1z` 양산  잘 보았습니다.