반도체 관련해서는 뭐가 많이 나오는데 아는게 없어서 좀 찾아보다 보니 알게된 재미난 내용이 있어 올려봅니다.
잘 아시는분들이 계시면 추가나 정정 내용 올려주시면 감사하겠습니다. ㅎㅎ
기존 반도체 생산 공정은 가장 중요한게 식각과 후공정(패키징)
그중에서 식각은 노광장비를 이용해 웨이퍼에 회로를 그리는 과정입니다.
여기서 노광장비는 레이저를 이용해 새기게 되는데, 문제는 이 레이저빔 파장의 두께가 198nm 로 엄청 두껍습니다.
지금 이 노광장비를 이용해 TSMC가 7nm 까지 새기고 있습니다.
그러니깐 두께가 198 단위인 칼로 7 단위 물건을 어떻게 깍아내는가 하는 의문이 생기죠.
여기서 공정기술이 들어가는데, 198nm의 노광장비에서 쏘는 레이저와 웨이퍼 사이에 물을 쏘아서 이 물이 볼록렌즈 역할을 하게 되어 198nm 두께의 레이저 광선을 훨씬 더 짧은 광선으로 줄여서 쏘게 되는 거라 합니다.
TSMC가 7nm 를 세기는 과정에는 이 물을 이중으로 넣어서 말하자면 볼록렌지를 두개 넣는 것과 같은 효과를 넣어 7nm 까지 레이저 광선을 줄이는 기술이라고 합니다.
삼성이 이번에 최초로 시도하게 되는 EUV는 기존 레이저 대신 극자외선을 빔으로 웨이퍼에 쏘게 됩니다.
삼성이 도입하는 EUV는 파장의 두계가 10nm로 레이저에 비해 거의 20분의 1수준이고
중간 공정기술 없이 그냥 쏴도 10nm 적용 가능한거죠.
(그전에 EUV를 도입하지 못했던 이슈는 일단 EUV 발광원(?) 개발이 힘들었고, 레이저에 비해 자외선은 식각이 가능할 정도의 힘이 없어서)
거기에 기존 볼록렌즈 역할 같은 공정기술을 넣으면 앞으로 훨씬 더 작은 파장으로 새길수 있게 되어
한계에 다다른 기존 공정을 새로운 단계로 뛰어오를수 있게 될 거라 봅니다.
작성일 : 18-09-18 13:25
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