작성일 : 23-04-08 18:37
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[잡담] 삼성전자, SiC 전력반도체 투자 '8인치' 직행
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삼성전자가 차세대 전력반도체 시장 진출에 박차를 가한다. 올해 초 SiC(실리콘카바이드)·GaN(갈륨나이트라이드) 소자 개발과 관련한 전력반도체 TF를 구성한 데 이어, 최근 R&D 및 시제품 생산 등에 필요한 설비투자를 적극 진행하고 있는 것으로 파악됐다.특히 주목할 만한 부분은 투자가 이뤄지는 공정 분야다. SiC의 경우 6인치 공정이 최근에야 본격화되고 있는 상황이다. 그럼에도 삼성전자는 이보다 더 진보된 '8인치' 공정장비 도입에 나서고 있다. 업계는 삼성전자가 실제로 SiC 시장에 진입 가능한 시기를 고려해, 6인치가 아닌 8인치로 직행하는 전략을 채택하는 것으로 보고 있다.30일 업계에 따르면 삼성전자는 8인치 SiC·GaN 공정 개발을 위한 설비투자를 추진 중이다. 현재까지 완료된 투자만 1000억~2000억원으로 알려졌다. 단순 개발을 넘어 시제품 양산까지 가능한 수준으로 업계는 보고 있다. 삼성전자가 8인치부터 SiC 공정 개발에 나서는 이유도 주목할만 하다. 이미 8인치 웨이퍼가 보급화된 GaN과 달리, SiC는 아직 4인치와 6인치 웨이퍼가 주류를 차지하고 있다. 8인치 웨이퍼는 상용화에 이르지 못했다. 울프스피드, 투식스, SK실트론 등 주요 업체들이 8인치 SiC 웨이퍼를 본격 양산하겠다고 목표로 잡은 시점도 빨라야 2024~2025년이다.때문에 업계는 삼성전자가 실제 SiC 시장에 진출하는 시기를 고려해, 6인치가 아닌 8인치부터 공정 개발에 뛰어드려는 것으로 보고 있다. DB하이텍이 SiC 공정 초기 개발은 6인치를 활용하고, 실제 전력반도체 양산은 8인치부터 진행하려는 것도 이와 비슷한 맥락이다.
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