https://news.naver.com/main/read.nhn?mode=LSD&mid=sec&sid1=105&oid=293&aid=0000035504
SK하이닉스가 10나노급 4세대(1a) 공정을 적용한 8Gbit LPDDR4 모바일 D램의 양산을 이달 초부터 시작했다고 발표했습니다.
SK는 EUV 도입으로 신제품은 이전 세대 대비 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 25% 향상되었으며, 최고 속도를 안정적으로 구현하면서도 동시에 전력 소비량을 약 20% 줄일 수 있었다고 밝혔습니다.
사측은 차세대 D램인 DDR5에도 내년 초부터 1a 공정을 적용할 것이고, 향후 모든 1a D램 생산에 EUV 노광기를 사용할 계획입니다.