http://news.naver.com/main/read.nhn?mode=LSD&mid=sec&sid1=105&oid=030&aid=0002613223
삼성전자가 고성능 인공지능(AI) 프로세서와 서버 등에 필요한 '3D 적층 D램' 생산량을 30배 이상으로 늘린
다. 3D D램은 실리콘관통전극 공정 기술로, D램 칩을 수직으로 쌓아 생산한다. 입출력 대역폭이 크게 늘어나
데이터 전송 속도가 크게 빨라진다. 삼성전자가 생산한 3D 적층 구조 D램은 AI 프로세서 시장 공략에 나선
미국 인텔과 엔비디아에 공급될 전망이다. TSV D램 적층 기술은 CMOS 이미지센서(CIS)에도 활용된다.
삼성전자는 CIS에 로직 칩과 D램을 동시에 얹는 '3단 적층' 제품을 개발, 양산 준비에 들어갔다.