[뉴스임팩트=이상우기자] 삼성전자, 유진테크의 반도체 증착 장비와 D램 기술을 중국에 빼돌린 일당에 대한 공판 절차가 본격화됐다.

유진테크는 2000년 설립된 반도체 강소기업이다. 코스닥 상장사다. 반도체 증착 장비 분야에서 독보적 기술력을 가진 것으로 평가받는다. 반도체 증착 장비는 열이나 플라즈마를 활용해 웨이퍼 표면에 박막을 입혀 전기적 특성을 갖게 만든다. 플라즈마는 물질이 전자, 중성입자, 이온으로 나눠진 상태다. 웨이퍼는 반도체 재료가 되는 얇은 원판이다.

3일 법조계에 따르면 서울중앙지법 형사합의25부(지귀연 부장판사)는 산업기술보호법·부정경쟁방지법 위반 혐의를 심리하는 3차 공판기일을 지난 2일 열었다.

피고인은 삼성전자 메모리 사업부 디퓨전 기술팀 부장과 중국 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT) 17나노 D램 개발실장을 지낸 A 씨, 전 유진테크 장비설계팀장 B 씨, 전 유진테크 장비설계팀원 C 씨 등이다.

검찰은 지난해 12월과 올해 1월에 걸쳐 A, B, C 씨를 구속기소 했다. 지난달 25일엔 A 씨가 중국 태양광 회사로부터 투자를 받아 세운 신카이 반도체 장비 유한책임회사(이하 신카이)까지 재판에 넘겼다. A 씨는 신카이 기술 파트 부사장, B·C 씨는 신카이 장비설계팀장과 팀원이다.

1나노는 10억분의 1m다. 17나노 D램은 반도체 내부 회로 전선 두께가 17나노라는 뜻이다. 반도체는 전선 두께가 얇을수록 성능과 집적도가 높아진다. CXMT는 중국 안후이성 허페이시에 본사를 둔 D램 반도체 제조사다. 2016년 5월 설립됐다. 반도체 설계 회사 자오이창신과 허페이시 정부가 공동 출자했다.

검찰에 의하면 삼성전자에 다니던 A 씨는 2016년 CXMT에 이직했다. 그해 9월 A 씨는 삼성전자의 국가 핵심 기술인 18나노 D램 공정 기술을 촬영한 파일을 취득하고, 해당 자료를 이용해 CXMT D램 공정 개발 자료를 작성했다. 2022년 9월에도 A 씨는 삼성전자 18나노 D램 공정 기술 자료를 누설했다.

B, C 씨는 2022년 9월 A 씨 지시에 따라 유진테크 첨단 기술인 ALD 장비 설계 도면을 유출했다. ALD 장비는 원자 정도의 두께로 막을 형성하는 반도체 증착 장비다. 점점 미세화되고 있는 첨단 반도체 제조에서 필수 장비로 꼽힌다.

A, B, C 씨는 지난해 3~6월 유진테크 ALD 장비 설계 정보를 부정 사용해 장비 도면을 작성했다. 기술적 기반이 갖춰지지 않은 신생 회사 신카이의 ALD 장비 개발 기간을 최대한 줄이고자 피고인들이 위법 행위를 했다는 게 검찰 지적이다.

3차 공판에선 검찰과 피고인 측 변호인의 프레젠테이션이 진행됐다. 현준진 유진테크 부사장이 법정에 출석해 ALD 장비를 설명하기도 했다.

재판부는 검찰과 피고인 측 견해차가 큰 증거 열람·등사에 대해 절충안을 내놨다. 해당 증거는 유진테크의 배치(Batch) 타입 해리어-L(Harrier-L) 조립도면, 해리어-M(Harrier-M) 자료다.

배치는 웨이퍼 100매 이상을 동시에 처리한다는 뜻이다. 해리어-L과 해리어-M은 ALD 장비의 일종이다. 국내에서 유일하게 유진테크가 개발했다.

검찰은 영업비밀 보호를 위해 해리어-L, 해리어-M 자료를 등사해 줄 수 없다고 주장했다. 피고인 측은 열람만으로는 방어권을 행사하는 데 한계가 있다고 반박했다.

재판부는 검찰 입장을 받아들여 해리어-L, 해리어-M 자료 등사를 불허하기로 했다. 이어 피고인 측엔 증거 열람이 가능한 노트북을 1대에서 2~3대로 늘려주겠다고 했다. 검찰과 피고인 측은 재판부 제안을 수용했다.

다음 공판기일은 오는 23일이다.