삼성전자가 추격하니 TSMC도 투자를 늘려가는 상황입니다.
각종 언론에 최근에 발표되어 진행중/예정중인 TSMC의 투자계획과 그 규모를 대략 종합한다면
1) 미국 애리조나 등에 360억달러(약 41조) 투입해 팹 6기 건설 (웨이퍼 월 10만장 생산 목표)
2) 타이페이에 28조원 투입해 3나노 공정 (2022 하반기부터 웨이퍼 월 6만장 생산 -> 후에 10만장)
3) 신주에 20조원 투입해 2나노 팹 건설 구상중
4) 기존의 5나노 팹 생산능력 제고 시도 (웨이퍼 월 12만장 생산 목표)
5) 일본에 2000억 투입해 R&D센터 건설
이라고 하네요.
이에 대해 삼성전자는
1) 2021년 상반기부터 10조원이 투입된 평택 P2의 5나노 EUV 라인 가동을 시작하며
2) 2020년 30조원을 투입예정인 평택 P3 공사 시작, 2023년 하반기까지 종합반도체를 생산할 계획이고
3) 2025년까지 약 100조원(추정) 정도를 투자해 평택에 P4, P5, P6 팹 3기를 추가로 건설하고
4) 중국 시안 파운드리 공장에 11조 투자, 8인치 기반 전기차용 전력반도체 등 생산능력을 강화중이고,
5) 미국에(높은 확률로 오스틴) 19조원을 투자해 3나노 공정을 추진중입니다.
참고로 일부 내용은 착오가 있을 수 있고, 삼성전자의 경우 팹에서 파운드리 외에도 D램, 이미지센서 등 다른 제품들도 양산할 때가 많으므로 저 내역이 100% 파운드리에 대한 투자는 아닙니다.
TSMC의 공격적인 증설에 대응해 삼성전자도 곧 추가적인 파운드리 투자계획을 내놓지 않을까 싶습니다.
작성일 : 21-03-08 10:23
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