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작성일 : 21-01-23 21:10
[전기/전자] 삼성전자 3나노 양산준비 '착착'…지멘스 'AFS' 인증
 글쓴이 : 스크레치
조회 : 2,812  

https://www.theguru.co.kr/news/article.html?no=18176








역시 지난해 1월 세계 최초로 3나노 공정 개발 완료한 이후 

가장 빠르게 잘 순항하고 있는듯 


화이팅입니다. 

이미 7나노 미만 공정 양산도 3위권 업체부터 다 포기하고 나가떨어진 상황이니 


후발 경쟁주자들이 들어올 가능성은 거의 사라졌다고 봅니다. 


3나노 미만에서 승부를 보고 

어느정도까지는 시장을 양분하고 

궁극적으로 우위를 가져가는 전략으로 나갔으면 합니다. 


워낙 삼성과 경쟁관계에 있는 대형 팹리스 업체들의 삼성견제가 더 극심해질테니


출처 : 해외 네티즌 반응 - 가생이닷컴https://www.gasengi.com


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스크레치 21-01-23 21:10
   
흩어진낙엽 21-01-23 22:35
   
디일렉 오늘자로 영상이 올라왔는데 양산단가및 밀도부분에서 삼성이 유리한면이 없어보인다는 의견도 있더군요

삼성 TSMC 경쟁이 재밌어지는 부분이라고 봅니다

패키징부분에서도 재밌어지는거같구요

영상 댓글에 밀도가 중요하지 않다고 하는거보면 MBCFET부분도 기대되긴하더군요
-------
보통 밀도가 올라가면 성능/파워가 같이 올라간다고 표현은 하지만.... 실제로 소자를 살펴보면 그렇지가 않습니다. 엔지니어들이 노력해서 성능/파워를 같이 올려주는것이지요.
22nm당시 인텔이 FinFET 이라는 새로운 기술을 도입해 밀도는 떨어지지만 성능/파워가 매우 앞서서 가장 기술적으로 진보한 공정이었습니다.
----------

https://youtu.be/dkXme5rfzfM?t=780
     
중고인생 21-01-23 22:52
   
이분 영상 보셧군요 ㅎㅎ

거기에 오류가 좀잇던데 영상에요

거기에다가 tsmc3나노 계발도 못햇는데 트렌지스터를 삼성의 두배를 박는다고 써놧대요 ㅎㅎ

햐이튼 중공애들 허세와 뻥은 심해 ㅎㅎ
          
흩어진낙엽 21-01-23 23:05
   
영상에 나와있듯이 semi 포럼에서
https://www.icknowledge.com/

기사
https://semiwiki.com/events/294639-iss-2021-scotten-w-jones-logic-leadership-in-the-ppac-era/

여기회사에서 나온발표한 내용인데 TSMC 밀도부분은 icknowledge회사의 발표신뢰성은 반도체관련분야쪽사람많이 알겠죠 그리고 어떻게 보면 예측이나 삼성,TSMC발표 스펙일수도있으니까요

오류부분에서는 댓글에 달린 부분이라면 해명하긴했습니다
-----------
22나노 인텔이 좋다고 하셨는데 테이블 상으로는 핀펫이지만 제일 떨어지는거 아닌가요? 시청자들이 보는거랑 말하는거랑 달라서 한참 봤습니다.

디일렉 THEELEC
2시간 전
안녕하세요? 핀펫 트랜지스터 구조를 적용해서 상대적으로 밀도 증가가 적었지만 그 구조 변경으로 전력 소모량이나 퍼포먼스는 더 좋아졌다는 얘기를 명확하게 했어야 하는데 저도 다시 들어보니 그 내용이 빠져서 뭔가 혼란스럽게 느껴지실 수 있겠다고 생각했습니다. 지적 감사합니다 더 명확하게 말씀드릴 수 있게끔 노력하겠습니다
----------------
totos 21-01-24 01:11
   
디일렉 찌라시 모아서 유튜브 하는 곳입니다.
관련자들이 방송하면 저런 정보로 방송 안하죠.

내부 정보 얘기하자면 TSMC의 3nm는 누설전류 문제로 모바일만 사용하고 넘어갑니다.
MBCFET 도입해야 하는데 MBCFET 장비들의 선매입 스케줄을 삼성에 2세대 앞서서 뺏기는 바람에 장비 구매 가능한 2nm 공정으로 연기 한게 실질적인 이유입니다.
삼성은 7nm EUV 개발할 때 GAA도 같이 개발 했습니다.
그리고 반도체 장비 R&D 센터, 아시아 지사들 죄다 삼성전자 근처에 모여 있습니다.
일본 기업들도 R&D와 생산거첨을 한국으로 옮겨오고 있거든요. 

인텔 22nm는 기술 초격차를 인지시킨 역대급 공정이에요.
미세공정을 도입한 시기도 인텔이 빠를뿐더러 적용된 기술 수준도 넘사벽입니다.
Finfet 없이 플래너 게이트 쓴 20nm 공정을 쓴 대다수의 칩 회사들이 빅엿을 먹고 급하게 건너 뛴 공정입니다.
지금 파운드리에서 20nm는 없습니다.
그 역사가 TSMC의 3nm에서 펼쳐질꺼란 예상입니다.
     
흩어진낙엽 21-01-24 01:18
   
기레기 기레기해서 쓰레기 기자들도 많은데

인터넷신문업체 http://www.thelec.kr  유료기사들도 나오는곳인데 찌라시라고 말씀하시면

조중동은.....사기집단인데요

디일렉에서 말하는 정보들도 실질적으로 밑에 기사를 기준으로 설명하는 영상이구요

https://semiwiki.com/events/294639-iss-2021-scotten-w-jones-logic-leadership-in-the-ppac-era/
          
totos 21-01-24 01:35
   
HPC와 모바일 Cell은 다르거든요.
당장 TSMC의 옵션만 보더라도 HPC 노드는 셀 크기가 더 큽니다.
인텔은 HPC인데, 모바일 Cell과 비교해서 인텔이 더 크다고 하는거지요.
TSMC의 AMD CPU도 실리콘 최적화라는 단어가 들어가는 세대들은 HPC 노드로 제조하는겁니다.
AMD의 N7 노드만 보더라도 모바일과 HPC Cell 크기 차이 엄청납니다.
HPC는 Finfet의 Fin 높이도 훨씬 높구요.
인텔도 모바일 CPU는 Cell 크기가 더 작습니다.
대신 Cell의 전력 제한이 있어서 스팟이 좁고 클럭도 낮죠.
관련자들이 방송한다고 제시한 자료로 보기엔 비교 대상이 잘못 되었다고 보는거죠.
세미위키는 파운드리 오피셜 공개 자료를 보여주는건데, 절대적 지표로 비교하는게 무리가 있다는거지요.

인텔 22nm는 역대급으로 성공한 공정이고, 삼성/TSMC의 20nm는 역대급으로 폭망한 공정이거든요.
플래너게이트 실리콘으로 28nm가 긴수명을 가진 이유이기도 하구요.
TSMC가 28nm - 16nm Finfet으로 넘어가고, 삼성이 28nm - 14nm Finfet으로 넘어가는 상황에서 인텔 22nm Finfet은 그 시대에 있어 넘사벽 초격차였습니다.
이런걸 동일선상에서 비교하는 것 자체가 잘못된거죠.
               
흩어진낙엽 21-01-24 02:11
   
비교대상은 어쩔수없이 같거나 비슷한년도로 할수밖에 없는점이 있죠

각자 회사의 사정이 다르더라도 같은년도로 비교해서 각자 장단점을 말하는거니까요

년도는 비슷해도 노드차이가 있는점이 공정한 비교는아니지만

제가 정보를 습득하는 기준에서 저런 포럼이나 기자들의 시선으로는

잘따라잡고있긴한데 아직은 더따라가야한다는 입장이구요
totos 21-01-24 01:28
   
디일렉이 잘못 비교한게 뭐냐면요.
모바일 Cell, HPC Cell을 동일 선상에서 비교한 오류를 보여주는겁니다.
TSMC나 삼성도 HPC 전용으로 공개하는 노드에서는 Cell 크기가 더 큽니다.
전류를 더 많이 흘려줄려면 배선층도 두터워야 하고, 셀 크기도 커야죠.
TSMC에서 생산하는 AMD CPU도 애플과 같은 노드에서 생산하는게 아닙니다.

Cell이 작다고 무조건 좋은게 아니라 칩을 구동하는 핫스팟, 양산수율의 비율에 의해 결정합니다.
수율이 안 좋으면 클럭도 안 오르고 칩 가격도 비싸지죠.

삼성의 3nm는 MBCFET을 적용하니 수율에서 불리하고, 추가 공정에 대한 가격 상승이 있습니다.
대신에 20nm 시절에 교훈을 얻은 누설전류에 의한 칩 성능 저하는 없지요.

TSMC의 3nm는 Finfet을 그대로 고수해서 기존 시설로 양산하니깐 원가 절감의 잇점은 있습니다.
다만 누설전류 문제로 핫스팟이 좁아지고, 저전력 칩, 스몰칩 이외에는 누설 전류 문제가 발생합니다.
인텔이나 AMD는 TSMC의 3nm를 도입할 생각이 없습니다.
TSMC의 4nm 공정까지가 HPC 노드의 Finfet 성능 한계치입니다.
X86은 TSMC의 2nm, 즉 MBCFET 도입이 되는 공정으로 넘어갑니다.

삼성은 EUV에서 경험했듯이 수율이 뒷받침 되어주지 않으면 성공을 못한다고 보고 공정 성숙도를 잔뜩 올리잖아요.
삼성 3nm GAA 샘플 웨이어를 2019년 4분기에 공식 공개했습니다.
양산은 2022년 하반기에요.  2년을 메달려서 GAA 공정 성숙도를 올리고 수율 맞추겠다는겁니다.

TSMC의 앞날이 장미빛이 아닙니다.
3nm는 모바일칩 찍으면 땡입니다.
X86 및 대다수의 칩 메이커들이 4nm에 머무를건데요.

2nm는 더 힘듭니다.
MBCFET과 High-NA EUV를 동시에 도입해야 되요.
삼성은 3nm에 GAA 도입, 2nm에 High-NA EUV 도입인데, High-NA EUV 조차도 삼성이 선매입 한 상태입니다.
TSMC는 삼성 대비 신공정 장비 매입이 늦어지는 상태로 차세대 노드를 경쟁해야 됩니다.
삼성은 고객사가 한정되어 있어서 30만장 캐파로 움직이니깐 부족한 장비들로도 차세대 노드에 적용하는건데요.
TSMC는 100만장 캐파라서 장비 양산이나 기술 성숙도가 어느 정도 올라오는 상태에서만 투자가 가능한거지요.

3nm에서는 밀도 같은건 전혀 중요한게 아닙니다.
수율과 누설전류입니다.
클럭 스팟이 넓은 고성능 칩을 제조할 수 있는지, 웨이퍼당 가격은 어떻게 되는지 중요한거에요.
     
흩어진낙엽 21-01-24 02:19
   
저보다 많은 정보를 습득하시니 판단의 기준은 다르시겠지만

제가 정보를 습득하는 유튜브나 기사에서 전문가나 기자들이 아직은 기술격차가 있다는

의견이기때문에 totos의 장밋빛 의견은 별로 안와닫는거죠

차후에 HPC Cell쪽이 모바일셀쪽에 어떻게 될지도 모르는상태구요

ARM코어쪽,애플 M1코어,RISC-V쪽이 어떻게 될지도 모르는상태라서

모바일 Cell, HPC Cell을 동일 선상에서 비교한 부분을 오류라고 하셨는데

그건 어느쪽 시선에서 보냐에 따라 판단하는 사람들의 기준이 달라질거라고 봅니다
          
totos 21-01-24 02:28
   
웨이퍼의 스탠다드 Cell이 물리적 법칙에 따라 타켓 클럭, 전류 공급에 연관된건데 향후에 어떻게 된다는지 이해를 못하겠습니다.
물리법칙은 못 거슬러요. 소재 부분에서 극복할 기술도 없구요.
3HGz 타켓클럭 Cell과 5GHz 타켓클럭 Cell을 놓고 판단하는 사람들이 기준에 의해 달라질꺼라 하면 입맛에 맞는대로 보겠다는거잖아요.
TSMC에도 N7 HPC 공정이 떡 하니 명시되어 있는데 그런 자료를 가져와서 인텔과 비교해야죠.
AMD가 여기서 칩을 찍는데요.
전문 채널이 모바일칩 Cell 가져와서 HPC Cell과 비교하면 아무것도 모른다는 얘기잖아요.
미래의 얘기가 아닌 과거에 모바일칩과 HPC칩이 구분되던 시절의 실리콘 웨이퍼를 동일선상에서 비교하는건 넌센스에요.
TSMC의 28nm HPC는 인텔보다 Cell 크기가 월등히 큽니다. 인텔 32nm 세대라고 봐야되요.
이 공정에서도 AMD 칩을 주력으로 찍었습니다.
풀노드의 인텔 22nm HPC와 하프노드인 TSMC의 28nm HPC 비교하면 단박에 답 나오죠.
TSMC가 인텔급 성능을 내는 Cell을 쓰려면 결국 32nm 수준의 공정이라는걸요.
제 글이 별로 안 와닿으시면 굳이 이런 얘기를 할 필요가 없는거죠.
사람들이 찌라시를 구분 못하니깐 그게 정설인것처럼 받아들여지는겁니다.
제가 볼땐 디일렉이 업계 관련자 출신들이 맞느냐?  아니라고 봅니다. 그러면 저럴 수가 없어요.
저 채널이 한두번 실수하는게 아니거든요.  종편채널급이죠.
세미위키 자료 가져와서 방송하는거면 뻔한거니깐.
저 채널을 보는거보단 증권가 소식을 접하는게 더 정확하게 빠르겠습니다.
거긴 정보의 질이 곧 돈으로 직결되니까요.
말도 안되는 내용이다. 했을때 이런 댓글이 달리면 저는 그만 해야죠.
totos 21-01-25 07:16
   
디일렉에서 비교한 Cell의 성능을 비교해줄께요.
TSMC의 28nm는 최대 클럭 2GHz,  인텔 22nm Finfet의 최대 클럭 3.8GHz 입니다.
TSMC의 28nm HPC는 최대 클럭 3.4GHz, Cell은 32nm 입니다.
모바일 Cell과 HPC Cell이 왜 다르냐구요?
저전력에 맞춰진 모바일 Cell은 최대클럭이 낮아요. 고클럭에 대한 수율도 다르고.
TSMC의 28nm는 도입 못했던 32nm의 하프노드거든요.
TSMC는 40nm 공정에서 문제로 32nm가 지연되서 도입 못하고 하프노드인 28nm를 도입했습니다.
삼성 파운드리는 40nm, 32nm, 28nm를 순차적으로 도입했구요.
TSMC는 나중에 32nm를 추가합니다만 선단 공정이 아니였습니다.
인텔은 풀노드로만 변경하구요.
Cell 성능부터 비교치가 말도 안되는 얘기인데 근본이 32nm인 하프노드 28nm를 풀노드 22nm HPC랑 비비겠다는 사전 지식이 아예 없거나 종편채널급 조작 수준이라는겁니다.
28nm HPC로 생산한 AMD CPU가 얼마나 망작이고 발열량도 막강했는지 인텔과 비교하면 알 수 있을 정도인데....
현세대의 모바일칩으로 찍는 AP들의 최대 클럭이 3GHz라는건 Cell이 딱 그 스팟클럭에 맞춰서 제공되고 있는겁니다.
HPC용 Cell은 5GHz 이상을 목표로 하니깐 Cell이 더 크죠.
물리적 한계는 아키텍처로 거스를 수 있는게 아닙니다.
 
 
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